美國加州大學(xué)研究人員9日表示，他們在與西盟公司合作為下一代極紫外光刻（EUVL）開發(fā)激光光源的研究中發(fā)現(xiàn)，利用二氧化碳激光器系統(tǒng)可以獲得極紫外光刻所需的極紫外光。他們相信，這項(xiàng)突破性發(fā)現(xiàn)有望幫助半導(dǎo)體工業(yè)尋找到在芯片上存儲(chǔ)更多信息的方法，從而迅速提高電子設(shè)備的性能。
 
　　目前，全球半導(dǎo)體公司均致力于極紫外光刻技術(shù)的開發(fā)，將其視為制造特征尺寸為32納米或更小微芯片的光刻工具。盡管近來科學(xué)家在該領(lǐng)域取得巨大進(jìn)步，但在將極紫外光刻用于低成本大規(guī)模生產(chǎn)上仍存在挑戰(zhàn)。在當(dāng)今半導(dǎo)體光刻過程中，光源從激光器中輸出后直接透過掩膜作用于晶圓（wafer）。而在極紫外光刻過程中，激光器產(chǎn)生的極紫外光先射向掩膜版，再作用于晶圓。這種間接方式效率更低，意味著可能需要輸出功率更大和更昂貴的激光器。
 
　　加州大學(xué)機(jī)械和航空航天工程科學(xué)家馬克?泰雷克領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)，讓極紫外光刻的光源???二氧化碳激光系統(tǒng)輸出長脈沖光，其工作性能不僅與短脈沖光的相當(dāng)，而且能讓系統(tǒng)更有效、更簡單和更廉價(jià)。泰雷克說，二氧化碳激光器有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，一是造價(jià)低易操作，二是能方便快捷地從輸出激光轉(zhuǎn)為輸出極紫外光。他表示，長脈沖工作的有效性表明二氧化碳激光系統(tǒng)可以更廉價(jià)地制造和運(yùn)行極紫外光刻設(shè)備。
 
　　泰雷克指出，極紫外光刻具有眾多潛在的應(yīng)用，包括閃存卡的生產(chǎn)，未來閃存卡的存儲(chǔ)密度會(huì)越來越大。他說，如果能夠廉價(jià)產(chǎn)生存儲(chǔ)量達(dá)200G（千兆）的閃存卡，硬盤或許將從市場上淘汰出局。他還表示，該成果有可能為獲得先進(jìn)光源開辟新的道路。