美日聯(lián)手開發(fā)32納米集成電路 (2006-01-23)
發(fā)布時間:2007-12-04
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來源:經(jīng)濟(jì)參考報
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日本索尼、東芝和美國IBM公司最近宣布將在半導(dǎo)體的微細(xì)加工方面加強(qiáng)合作,聯(lián)手共同開發(fā)32納米的下一代大規(guī)模集成電路,并計劃在2013年投放市場,與韓國三星電子和美國英特爾公司展開競爭。
集成電路和存儲器半導(dǎo)體的線路越細(xì)微,就越能使電器產(chǎn)品更加趨向小型化,并且還能夠提高產(chǎn)品的性能。目前,日本主流集成電路半導(dǎo)體線路為90納米,最尖端的為65納米。