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韓研制出2納米金屬線 開(kāi)半導(dǎo)體工藝新紀(jì)元 (2005-11-21)

發(fā)布時(shí)間:2007-12-04 作者: 來(lái)源: 瀏覽:896
11月17日消息,本周四,韓國(guó)科技部正式表示,本國(guó)科學(xué)家已經(jīng)成功研制出了全球最薄的金屬線,而這一成功也被視為足以震驚科技領(lǐng)域的重大突破。   english.yna.co.kr報(bào)道,此次研制出的金屬線寬度僅僅為2納米,由韓國(guó)首都首爾的Yonsei大學(xué)原子線研發(fā)中心所開(kāi)發(fā)。   分析家指出,隨著這種超薄金屬線技術(shù)的面世,未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)品將擁有更大的容量和更快的速度。據(jù)此次研究小組的12位科學(xué)家透露,通過(guò)此項(xiàng)技術(shù),未來(lái)內(nèi)存芯片的尺寸將會(huì)極大程度上被降低,而半導(dǎo)體篆刻工藝也將進(jìn)入全新的2納米時(shí)代。   目前為止,韓國(guó)三星旗下最為先進(jìn)的16G內(nèi)存仍然使用著50納米設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。而業(yè)界目前所制定的目標(biāo),也只不過(guò)是成功過(guò)渡到25納米技術(shù)而已。此項(xiàng)研究始于2003年,由韓國(guó)科技部所贊助,總耗費(fèi)資金達(dá)到了214萬(wàn)美元。
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